RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
63
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
15.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3191
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link