RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
63
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2910
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link