STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Puntuación global
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Puntuación global
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 17.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 63
    En -91% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 1,447.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 5300
    En 4.83 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    63 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,231.0 left arrow 17.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,447.3 left arrow 12.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    478 left arrow 2910
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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