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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
87
En -156% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3083
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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