RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
53
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3509
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link