RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
94
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
39
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2810
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link