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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
3273
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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