A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 41

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 29
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 16.7
Скорость записи, Гб/сек

8.5 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2324 3273

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

модули RAM