RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3693
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link