RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3693
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link