RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
68
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
68
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2007
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link