RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
68
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
68
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2007
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link