RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparez
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
95
Autour de -239% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
3.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
95
28
Vitesse de lecture, GB/s
4.2
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
3.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
635
1920
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link