Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Note globale
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Autour de 23% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.6 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.1 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 10600
    Autour de 2.42 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 35
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 17.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 12.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2251 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons