Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Por volta de 23% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.6 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 17.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2251 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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