RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
23.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
4124
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link