RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
3473
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link