RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
30
Velocità di lettura, GB/s
16.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
3473
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link