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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
2987
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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