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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
33
周辺 12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
13.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
33
読み出し速度、GB/s
24.0
16.1
書き込み速度、GB/秒
20.0
13.0
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
2987
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Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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