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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
31
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
7.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
3.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2026
915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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