RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
7.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
3.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2026
915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link