RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link