RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
39
Autour de 38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2815
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link