RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link