RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link