RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparez
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Note globale
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
43
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,160.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
36
Vitesse de lecture, GB/s
5,987.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,160.7
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
957
2281
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link