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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Note globale
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Raisons de considérer
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
84
Autour de -211% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
84
27
Vitesse de lecture, GB/s
5.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2330
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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