RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2455
3075
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link