RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2455
3075
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link