RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2581
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link