RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2581
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link