Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 48
    Autour de 48% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.8 left arrow 15.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.7 left arrow 11.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 14900
    Autour de 1.72 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.4 left arrow 16.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.3 left arrow 15.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2696 left arrow 3047
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons