RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
14900
Около 1.72 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.3
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
25600
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
3047
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link