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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
78
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
17000
Autour de 1.03% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
78
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17500
17000
Other
Description
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2319
1584
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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