RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2605
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link