RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3419
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link