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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
71
Autour de -145% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
22.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
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