RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
71
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2847
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link