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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
71
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2847
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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