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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
71
Autour de -223% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2580
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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