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Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de -60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2532
2620
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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