RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2532
2620
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link