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PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2360
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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