RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2360
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link