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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
1989
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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