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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
1989
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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