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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
79
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
79
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
1710
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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