RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link