RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2479
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link