RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link