RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link